III Международная конференция
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов
ФИЦ ИУ РАН, ВМК МГУ, АО НИИМЭ, МАИ
ОКТ
25-26
2021
Организаторы:
- ФИЦ «Информатика и управление» РАН
- ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
- АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
- Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
- Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»
- МАИ (Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)
Статьи в "Известия ВУЗов. Материалы электронной техники", принимаются до 1 декабря 2021 г. Статьи в Physica status solidi(B) принимаются до 15 января 2022 г. Статьи должны быть оформлены согласно требованиям соответствующих журналов.
Тематика конференции
Приглашенные докладчики
проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия
проф. д-р Ж.К. Педру, Университет Авейру, Португалия
член-корреспондент РАН Двуреченский А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН
проф. д-р Василевский М.И., Университет Минью, Португалия
проф. д-р Петров П., Имперский колледж Лондона, Великобритания
Научная программа мероприятия
25 октября
Регистрация
Открытие конференции
Пленарные доклады
Секция D. Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике
Секция B. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур
Секция E. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения
26 октября
Секция C. Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, виртуальные модели и т.д.)
Секция A. Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных
Секция G. Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе
Секция F. Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.
Закрытие конференции
Постерные доклады
Секция A.
- Рубцов И.Д., Карпов К.В., Митрофанов А.А. Использование графовых нейронных сетей для предсказания ширины запрещённой зоны кристаллических материалов
- Щербаков В.С. Анализ технических деталей реализации программного и пользовательского интерфейсов для управления моделями нейроморфных вычислительных систем
- Савельев С.А., Карпов К.В., Митрофанов А.А. Моделирование ширины запрещённой зоны металлоорганических каркасных структур с применением методов машинного обучения
Секция B.
Секция C.
- Кирилов В.Д., Щемеров И.В., Кобелева С.П. Измерение рекомбинационного времени жизни в диодных структурах методом обратного восстановления
- Сеченых П.А. Математическое моделирование кристаллической структуры перовскитоподобных соединений
- Ксемидов Б.С., Аксентьев А.А., Абгарян К.К., Бажанов Д.И. Параметрическая идентификация потенциала RGL для молекулярно-динамического моделирования
- Тихонова Е.Д., Горнев Е.С. Исследование профиля фоторезиста в процессе самосовмещенного двойного паттернирования методом математического моделирования
- Орлов А.А., Ганыкина Е.А., Резванов А.А. Учет пористости материала в модели временного пробоя диэлектрика в системе металлизации интегральных схем
Секция D.
Секция E.
Секция F.
- Мочалова Ю.Д., Абгарян К.К. Моделирование усталостных характеристик композитного материала с помощью программного продукта COMSOL MULTIPHYSICS
- Шарапов А.А., Матюшкин И.В. Моделирование процесса роста массива одномерных монокристаллических структур ZnO
Программный комитет
Председатель:
академик РАН Евтушенко Ю.Г., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сопредседатель:
д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Члены программного комитета:
академик РАН Соколов И.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
академик РАН Красников Г.Я., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
чл.-корр. РАН Лукичев В.Ф., ФТИАН РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Флеров Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Поспелов И.Г, ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Кведер В.В., ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия
д-р техн. наук Гамкрелидзе С.А., ИСВЧЭ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия
проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия
д-р. физ.-мат. наук Ревизников Д.Л., МАИ, Москва, Россия
д-р физ.-мат. наук Илюшин А.С., МГУ, Физический ф-т, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Горнев Е.С., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
д-р физ.-мат. наук Итальянцев А.Г., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
д-р физ.-мат. наук Тишкин В.Ф., ИПМ РАН, Москва, Россия
д-р техн. наук Захаров В.Н., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
проф. д-р Котомин Е., Институт исследований твердого тела Макса Планка, Штутгарт, Германия, Институт физики твердого тела Латвийского университета, Рига, Латвия
Организационный комитет
Председатель:
д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сопредседатель:
д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Члены организационного комитета:
д-р техн. наук Харченко В.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд. физ.-мат. наук Колбин И.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
проф. д-р Мендеш Ж.Ф., Университет Авейру, Португалия
канд. физ.-мат. наук Бажанов Д.И., МГУ, Физический факультет, Москва, Россия
канд. техн. наук Тельминов О.А., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
канд. техн. наук Степченков Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд. физ.-мат. наук Мутигуллин И.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд.физ.-мат. наук Занавескин М.Л., НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Гаврилов Е.С., МАИ, Москва, Россия
Уваров С.И., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Секретариат организационного комитета:
Уварова О.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сеченых П.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
