III Международная конференция

Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов

ФИЦ ИУ РАН, ВМК МГУ, АО НИИМЭ, МАИ

ОКТ

25-27

2021

Конференция будет проводиться на базе Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН с 25 по 27 октября 2021.

Для участия в конференции необходимо послать тезисы по адресу matmodel2013@gmail.com до 15 сентября 2021 г. с заполненой заявкой на участие и экспертное заключение о возможности публикации тезисов доклада в открытых источниках печати.

В тезисах доклада, докладе необходимо отразить актуальность, новизну, цель, порядок проведения и результаты исследований, выводы. Текст тезисов должен включать в себя название, краткую аннотацию и ключевые слова с переводом на английский язык.

Образец оформления тезисов.

При публикации любой научной работы, созданной по итогам исследований в рамках финансируемого Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ) проекта, авторы обязаны сослаться в тезисах доклада и докладе на полученный грант с указанием его номера.

Тексты статей для публикаций в журналах необходимо направить на рецензирование до 10 октября 2021 г.

Тезисы докладов и статьи принимаются формате Microsoft Word. Объем тезисов - до трех полных страниц формата A4. Объем статьи 6-7 страниц. Правила оформления: поля со всех сторон 25 мм, шрифт Times New Roman, кегль 12pt, межстрочный интервал полуторный. Формулы должны быть набраны в редакторе Microsoft Equation или MathType.

Шаблон для стендовой секции.

Для участия конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо зарегистрироваться, отправив заполненную заявку по адресу matmodel2013@gmail.com до 22 октября 2021 г.

Решение о включении докладов в программу конференции и дальнейшая информация будет содержаться во Втором информационном сообщении, которое будет разослано зарегистрировавшимся участникам по указанным в заявках электронным адресам до 1 октября 2021г.

Оргвзнос для участников из России и стран СНГ составляет 4500 руб. (включая НДС 750 руб.), для аспирантов - 3000 руб. (включая НДС 500 руб.), студенты от оргвзноса освобождаются. Для очных участников, оплачивающих участие из личных средств, сумма всех платежей уменьшается на величину НДС. Оплата в случае заочного участия включает расходы на публикацию тезисов одного доклада в сборнике материалов конференции и составляет 2400 руб. (включая НДС 400 руб.) для всех категорий участников.


Оплата конференционных взносов до 15 октября.

Организаторы:

  • ФИЦ «Информатика и управление» РАН
  • ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
  • АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
  • Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
  • Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»
  • МАИ (Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)

Планируется выпуск Материалов Конференции с размещением в РИНЦ и присвоением DOI.

Лучшие работы будут опубликованы в специальном выпуске журнала "Известия вузов. Материалы электронной техники" за 2021 г.(ВАК). Статьи, присланные до 1 сентября, будут опубликованы в номере 3. Статьи, присланные позже, будут опубликованы в номере 4.

Отдельные из них будут опубликованы в журналах Russian Microelectronics и Physica status solidi(B) (WoS, Scopus).

Тематика конференции

1Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных
Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур2
3Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, виртуальные модели и т.д.)
Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике4
5Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения
Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.6
7Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе

Приглашенные докладчики

проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия

проф. д-р Ж.К. Педру, Университет Авейру, Португалия

член-корреспондент РАН Двуреченский А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

проф. д-р Василевский М.И., Университет Минью, Португалия

проф. д-р Петров П., Имперский колледж Лондона, Великобритания

Научная программа мероприятия

Сведения об участниках мероприятия

Сведения на 21 мая

Сведения об докладчиках

Сведения на 21 мая

25 октября

Регистрация

Открытие конференции

Пленарные доклады

Секция D. Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике

Секция C. Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, виртуальные модели и т.д.)


26 октября

Пленарные доклады

Секция A. Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных

Секция F. Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.

Секция B. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур


27 октября

Пленарные доклады

Секция E. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения

Секция G. Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе

Закрытие конференции

Программа

Программный комитет

Председатель:

академик РАН Евтушенко Ю.Г., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Сопредседатель:

д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Члены программного комитета:

академик РАН Соколов И.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

академик РАН Красников Г.Я., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

чл.-корр. РАН Лукичев В.Ф., ФТИАН РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Флеров Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Поспелов И.Г, ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Кведер В.В., ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия

д-р техн. наук Гамкрелидзе С.А., ИСВЧЭ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия

проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия

д-р. физ.-мат. наук Ревизников Д.Л., МАИ, Москва, Россия

д-р физ.-мат. наук Илюшин А.С., МГУ, Физический ф-т, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Горнев Е.С., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

д-р физ.-мат. наук Итальянцев А.Г., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

д-р физ.-мат. наук Тишкин В.Ф., ИПМ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Захаров В.Н., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

проф. д-р Котомин Е., Институт исследований твердого тела Макса Планка, Штутгарт, Германия, Институт физики твердого тела Латвийского университета, Рига, Латвия

Организационный комитет

Председатель:

д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Сопредседатель:

д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Члены организационного комитета:

д-р техн. наук Харченко В.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Колбин И.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

проф. д-р Мендеш Ж.Ф., Университет Авейру, Португалия

канд. физ.-мат. наук Бажанов Д.И., МГУ, Физический факультет, Москва, Россия

канд. техн. наук Тельминов О.А., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

канд. техн. наук Степченков Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Мутигуллин И.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд.физ.-мат. наук Занавескин М.Л., НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия

Гаврилов Е.С., МАИ, Москва, Россия

Уваров С.И., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Секретариат организационного комитета:

Уварова О.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

Сеченых П.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия