Сотрудники

Публикации

• 1 Абгарян К.К., Гаврилов Е.С. Компьютерное моделирование нейроморфных систем. — Наноиндустрия, Т.16, №S9-2(119), 2023. — С.518-519
• 2 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Simulation modeling of an analog impulse neural network based on a memristor crossbar using parallel computing technologies. — Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki - Materials of Electronics Engineering, V.25, №4, 2023. — pp.288-297
  DOI: 10.17073/1609-3577-2022-4-288-297
• 3 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Simulation modeling of an analogue spiking neural network based on memristic elements using parallel technologies.2022.
• 4 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Interval Model of a Memristor Crossbar Network. — Physica Status Solidi (B), V.259, №11, 2022.
  DOI: 10.1002/pssb.202200150
• 5 Морозов А.Ю., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологий. — Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, Т.25, №4, 2022. — С.288-297
  DOI: 10.17073/1609-3577-2022-4-288-297
• 6 Абгарян К.К., Журавлёв А.А. Методы многомасштабного моделирования в задачах цифрового материаловедения.2022. М.: Изд-во МАИ 120С.
  DOI: 10.29003/m3138.978-5-317-06870-7
  Скачать
• 7 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л., Журавлёв А.А., Морозов А.Ю., Гаврилов Е.С. Многомасштабное моделирование нейроморфных систем.2022. М.: Изд-во МАИ 120С.
  DOI: 10.29003/m3139.978-5-317-06886-8
  Скачать
• 8 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л., Морозов А.Ю. Математическое моделирование аналоговой самообучающейся нейронной сети на основе мемристивных элементов с учетом стохастической динамики переключения. — Российские нанотехнологии, Т.16, №6, 2021. — С.799-809
  DOI: 10.1134/s1992722321060157
• 9 Abgaryan K.K., Reviznikov D.L., Morozov A.Y. Mathematical Modeling of a Self-Learning Neuromorphic Network Based on Nanosized Memristive Elements with a 1T1R-Crossbar-Architecture. — Russian Microelectronics, V.50, №8, 2021. — pp.628-663
  DOI: 10.17073/1609-3577-2020-3-186-195
• 10 Abgaryan K.K., Reviznikov D.L., Morozov A.Y. Mathematical Modeling of an Analogue Self-Learning Neural Network Based on Memristive Element Taking into Account Stochastic Switching Dynamics. — Nanobiotechnology Reports, V.16, №6, 2021. — pp.767-776
  DOI: 10.1134/S263516762106015X
• 11 Zhuravlev A.A., Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Reviznikov D.L. Monte Carlo simulation of ion dynamics in memristive elements. — Mathematical modeling in materials science of electronic component, 2021.
• 12 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Stochastic model of the spiking neuromorphic network. — Mathematical modeling in materials science of electronic component, 2021.
• 13 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Mathematical model of a neuromorphic network based on memristive elements. — Chaos Solitons&Fractals, V.143, №6, 2021. — p.110548
  DOI: 10.1016/j.chaos.2020.110548
• 14 Морозов А.Ю., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Математическое моделирование самообучающейся нейроморфной сети, основанной на наноразмерных мемристивных элементах с 1t1r-кроссбар-архитектурой. — Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, Т.23, №3, 2020. — С.186-195
  DOI: 10.17073/1609-3577-2020-3-186-195
• 15 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л., Бажанов Д.И. Многомасштабное моделирование многоуровневых элементов памяти для создания нейроморфных сетей. — Наноиндустрия, Т.13, №S4(99), 2020. — С.587-590
  DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.587.590
• 16 Абгарян К.К., Гаврилов Е.С. Интеграционная платформа для многомасштабного моделирования нейроморфных систем. — Информатика и ее применения, Т.14, №2, 2020. — С.104-110
  DOI: 10.14357/19922264200215
• 17 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Issues of implementing neural network algorithms on memristor crossbars. — Russian Microelectronics, V.49, №8, 2020. — pp.568-573
  DOI: 10.1134/S1063739720080053
• 18 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Mathematical modeling of a self-learning neuromorphic network based on nanosized memristive elements with 1T1R crossbar architecture. — Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki - Materials of Electronics Engineering, V.23, №3, 2020. — pp.186-195
  DOI: 10.17073/1609-3577-2020-3-186-195
• 19 Морозов А.Ю., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Imitation modeling of pulse neural network with memristive elements as synapses. — Mathematical modeling in materials science of electronic component, 2020.
• 20 Абгарян К.К. Mathematical modeling of neuromorphic system. — Mathematical modeling in materials science of electronic component, 2020.
• 21 Morozov A.Y., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Simulation of a neuromorphic network on memristive elements with 1t1r krossbar architecture. — International Forum “Microelectronics – 2020”. Joung Scientists Scholarship “Microelectronics – 2020”. XIII International conference «Silicon – 2020». XII young scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis, 2020.
• 22 Abgaryan K.K., Kolbin I.S. Numerical simulation of heat transfer in semiconductor heterostructures. — International Conference "Information Technologies and High-Performance Calculations" (ITHPC 2019). Khabarovsk, Russia, September 16-19. Vol-2426 urn:nbn:de:0074-2426-4, 2019.
  Скачать
• 23 Abgaryan K.K., Mutigullin I.V., Uvarov S.I., Uvarova O.V. Multiscale modeling of clusters of point defects in semiconductor structures. — International Conference "Information Technologies and High-Performance Calculations" (ITHPC 2019). Khabarovsk, Russia, September 16-19. Vol-2426 urn:nbn:de:0074-2426-4., 2019.
  Скачать
• 24 Абгарян К.К., Осипова В.А. Применение методов поддержки принятия решений для многокритериальной задачи отбора многомасштабных композиций. — Информатика и ее применение (Informatics and Applications), 2, 2019. — С.47-54
  DOI: 10.14357/19922264190207
• 25 Абгарян К.К., Гаврилов Е.С. Информационная поддержка интеграционной платформы многомасштабного моделирования. — Системы и средства информатики, Т.29, №1, 2019. — С.53-62
  DOI: 10.14357/08696527190105
• 26 Морозов А.Ю., Ревизников Д.Л. Моделирование динамических систем с интервальными параметрами на графических процессорах. — Программная инженерия, Т.29, №2, 2019. — С.69-76
  DOI: 10.17587/prin.10.69-76
• 27 Бондаренко Р. Н., Романенков А.М. Создание кластерного сервера и его нагрузочное тестирование. — Современная наука: актуальные проблемы теории и практики. Серия:Естественные и Технические Науки, №06, 2019. — С.56-62
  Скачать
• 28 Kostikov Y., Mokryakov A., Романенков А.М. Specialized platform for the analysis of mathematical models in economics. — Amazonia Investiga, 8(23), 2019. — С.781-794
  Скачать
• 29 Абгарян К.К., Noskov R.G., Ревизников Д.Л. Inverse-coefficient problem of heat transfer in layered nanostructures. — Russian Microelectronics. Pleiades Publishing, LTD, Vol.48, №8, 2019. — С.1-6
• 30 Журавлёв А.А., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Discrete element method adopting microstructure information. — Advances in Theory and Practice of Computational Mechanics. Springer, 2019.
• 31 Абгарян К.К., Гревцев А.В. Parametric identification of the Tersoff potential for two-component materials. — Advances in Theory and Practice of Computational Mechanics. Springer, 2019.
• 32 Харченко В.А. Getters in silicon. — Modern Electronics Materials, Vol.5, №1, 2019. — С.1-12
  DOI: 10.3897/j.moem.5.1.38575
• 33 Загордан А.А., Загордан Н.Л. О применении специальных обобщенных координат для исследования совместных изгибных колебаний лопастей несущего винта, закрепленного на упругодеформирующей опоре. — Труды МАИ, № 108, 2019.
  DOI: 10.34759/trd-2019-108-4
  Скачать
• 34 Sinchenko S., Бажанов Д.И. The deep learning and statistical physics applications to the problems of combinatorial optimization. — Program Systems: Theory and Applications, 2019.
• 35 Морозов А.Ю., Ревизников Д.Л., Абгарян К.К. Вопросы реализации нейросетевых алгоритмов на мемристорных кроссбарах. — Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, Т.22, №4, 2019. — С.272-278
• 36 Sinchenko S., Бажанов Д.И. The deep learning and statistical physics applications to the problems of combinatorial optimization. — Национальный Суперкомпьютерный Форум (НСКФ-2019). Переславль-Залесский. ИПС имени А.К. Айламазяна РАН. Россия. 26 – 29 ноября, 2019.
• 37 Кошелев Я.С., Бажанов Д.И. Исследование влияния кислорода на магнетизм и стабильность нанопроводов Co на ступенчатой поверхности Pt(111). — Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019», 2019. — С.782
• 38 Stepanyuk V.S., Бажанов Д.И., Sivkov I.N. Entanglement and Spin dynamics in Quantum Chains on Surfaces. — International Symposium on Clusters and Nanomaterials (ISCAN) Jefferson Hotel. Richmond. Virginia. USA. November 3-7, 2019.
• 39 Meyerheim H.L., Mohseni K., Kumar N., Altendorf S., Coati A., Carla F., Felici R., Stepanyuk V.S, Бажанов Д.И., Parkin S.S.P. Atomic Structure of Ionic Liquide Gate Induced Metallized Thin Oxide Films. — European Synchrotron Light Source RF Workshop 2019. Oxford. UK. October 24-25, 2019.
• 40 Зацаринный А.А., Абгарян К.К. Факторы, определяющие актуальность создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития России. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.8-11
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 41 Абгарян К.К. Многомасштабное моделирование работы многоуровневых элементов памяти, применяемых для создания нейроморфных сетей. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.53-55
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 42 Мордокович В.Н., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Моделирование характеристик полевого элемента Холла. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.58-60
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 43 Журавлёв А.А., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Мезоскопическое расширение молекулярно-динамических моделей. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.65-67
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 44 Сеченых П.А., Абгарян К.К. Математическое моделирование кристаллической структуры оксидов металлов. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.74-76
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 45 Морозов А.Ю., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Реализация нейросетевых алгоритмов на мемристорных кроссбарах. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.128-130
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 46 Колбин И.С., Абгарян К.К. Расчет теплопроводности многослойных гетероструктур с использованием кинетического уравнения Больцмана. — Материалы I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2019). 21-23 октября. Москва: МАКС Пресс, 2019. — С.95-97
  DOI: 10.29003/m682.MMMSEC-2019
• 47 Журавлёв А.А., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Метод дискретных элементов с атомарной структурой. — Материалы XXI Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС-2019), 24-31 мая 2019 г., Алушта.-М.: Изд-во МАИ, 2019. — С.59-61
• 48 Морозов А.Ю., Ревизников Д.Л. Алгоритм адаптивной интерполяции с TT-разложением для моделирования динамических систем с интервальными параметрами. — Международная конференция «Современные проблемы вычислительной математики и математической физики» памяти академика А.А.Самарского, к 100-летию со дня рождения. Москва. 18-20 июня 2019. Тезисы докладов. М.: Издательский отдел факультета ВМК МГУ имени М.В.Ломоносова, 2019. — С.116-117
• 49 Морозов А.Ю., Ревизников Д.Л. Методы компьютерного моделирования динамических систем с интервальными параметрами.2019. М.: Изд-во МАИ 160С.
• 50 Абгарян К.К. Информационная технология построения многомасштабных моделей в задачах вычислительного материаловедения. — Издательство «Радиотехника»,«Системы высокой доступности», Т.15 №2, 2018. — С.9-15
  Скачать
• 51 Bazhanov D.I., Sivkov I.N., Sivkov I.N., Stepanyuk V.S. Engineering of entanglement and spin state transfer via quantum chains of atomic spins at large separations. — Scientific Reports, 8, 14118, 2018.
  DOI: 10.1038/s41598-018-32145-3
  Скачать
• 52 Abgaryan K.K. Optimization problems of nanosized semiconductor heterostructures. — Pleiades Publishing, Ltd., Russian Microelectronics, Vol.47, №8, 2018. — pp.112-118
  Скачать
• 53 Абгарян К.К., Гаврилов Е.С., Марасанов А.М. Информационная поддержка задач многомасштабного моделирования композиционных материалов. — International Journal of Open Information Technologies, №12, 2017. — С.24-29
  Скачать
• 54 Farberovich O.V., Бажанов Д.И. Control and manipulation of quantum spin switching and spin correlations in [Tb2] molecular magnet under a pulse magnetic field. — Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 439, 2017. — С.173-180
  DOI: 10.1016/j.jmmm.2017.04.063
  Скачать
• 55 Абгарян К.К. Многомасштабное моделирование в задачах структурного материаловедения. — МАКС Пресс., 2017. М. 284С.
  Скачать
• 56 Abgaryan K.K., Harchenko V.A. The Standard Model of the Heterostructure for Microwave Devices. — Russian Microelectronics, Vol.46, №8, 2017. — pp.564-570
  Скачать
• 57 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Численные методы в моделировании электронных свойств наноразмерных гетероструктур.2017. МАКС Пресс. 108С.
  Скачать
• 58 Абгарян К.К. Вычислительные алгоритмы в задачах математического моделирования устойчивых структур кристаллических материалов.2017. МАКС Пресс. 100С.
  Скачать
• 59 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов. — ЖВМ и МФ, T.56, №1, 2016. — С.155-166
  Скачать
• 60 Абгарян К.К. Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур. — Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, T.19, №2, 2016. — С.112-118
• 61 Абгарян К.К., Харченко В.А. Типовая модель гетероструктуры для СВЧ-устройств. — Известия вузов. Материалы электронной техники, Т.19, №1, 2016. — С.51-57
  DOI: 10.17073/1609–3577–2016–1–52–57
• 62 Харченко В.А. Буферные слои в гетероструктурах. — Известия вузов. Материалы электронной техники, Т.19, №4, 2016.
• 63 Abgaryan K.K., Mutigullin I.V. Theoretical investigation of the stability of defect complexes in silicon. — Phys.Status Solidi., C.13, №4, 2016. — pp.156-158
  DOI: 10.1002/pssc.201510220
  Скачать
• 64 Bazhanov D.I., Stepanyuk O.V., Farberovich O.V., Stepanyuk V.S. Classical and quantum aspects of spin interaction in 3d chains on a Cu3N-Cu(110) molecular network. — Phys. Rev., B.93, №3, 2016.
  DOI: 10.1103/PhysRevB.93.035444
  Скачать
• 65 Абгарян К.К., Уварова О.В., Уваров С.И. Компьютерное моделирование процесса нитридизации поверхности кремния. — Материалы X Международной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ’2016) г. Алушта, 25-31 мая 2016 г., 2016. — С.455-456
• 66 Abgaryan K.K., Uvarov S.I. Theoretical investigation of atomic nitrogen adsorption on Si (111) surface in the framework of molecular dynamics approach. — Proceedings, VII International Conference on Optimization Methods and Applications (OPTIMA-2016), Petrovac, Montenegro, September 2016, 2016. — p.12
• 67 Abgaryan K.K., Uvarova O.V. Approaches to the solution of the optimization problem of interatomic potential fitting. — Proceedings, VII International Conference on Optimization Methods and Applications (OPTIMA-2016), Petrovac, Montenegro, September 2016, 2016. — p.14
• 68 Абгарян К.К. Многомасштабные модели и методы разработки информационной системы для исследования структурных свойств композиционных материалов. — Материалы Международной конференции «Авиация и космонавтика». Москва. МАИ. 14-18 ноября 2016 г., 2016. — С.482-484
• 69 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л., Елисеев С.В., Журавлёв А.А. Валидация дискретно-элементной модели высокоскоростного внедрения на экспериментальных данных. — Материалы X Международной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ’2016) г. Алушта, 25-31 мая 2016 г., 2016. — С.455-456
• 70 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Сеченых П.А. Компьютерное моделирование кристаллической структуры и электронных свойств GaAs, GaP, GaAs0.75N0.25, GaAs0.25P0.75 (F43m). — «Первый Российский кристаллографический конгресс  от конвергенции наук к природоподобным технологиям». Тезисы. 21-26 ноября 2016 г., 2016. — С.121
• 71 Ревизников Д.Л., Способин А.В. Применение метода Монте-Карло к моделированию стокновительной динамики частиц при обтекании тел cверхзвуковыми полидисперсными потоками. — Материалы ХI Международной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях. NPNJ’2014, 25-31 мая, Алушта, 2016 г., 2016. — С.109-110
• 72 Polyakov O.P., Korobova J.G., Strain O.V., Bazhanov D.I. Impact of Surface Strain on the Spin Dynamics of Deposited Co Nanowires. — Journal of Applied Physics, Vol.121, issue 1, 2016.
• 73 Gritzaenko V.S., Bazhanov D.I., Faberovich O.V. Terahertz excited plasmon-magnon interaction and magnetoplasmon-enhanced energy transfer within the framework of generalized spin Hamiltonian. — The Joint European Magnetic Symposia (JEMS), Glasgow, 21 – 26 August (2016), 2016. — p.165
• 74 Abgaryan K.K., Reviznikov D.L. Numerical simulation of the distribution of charge carrier in nanosized semiconductor heterostructures with account for polarization effects. — Computational Mathematics and Mathematical Physics, 56 (1), 2016. — pp.161-172
  Скачать
• 75 Vasilyev A.N., Kolbin I.S., Reviznikov D.L. Meshfree computational algorithms based on normalized radial basis functions. — Lecture Notes in Computer Science, V. 9719, 2016. — pp.583-591
  DOI: 10.1007/978-3-319-40663-3_67
  Скачать
• 76 Dombrovsky L.A., Reviznikov D.L., Sposobin A.V. Radiative Heat Transfer from Supersonic Flow with Suspended Particles to a Blunt Body. — International Journal of Heat and Mass Transfer (IJHMT), V. 93, 2016. — pp.853-861
• 77 Dombrovsky L.A., Reviznikov D.L. An estimate of a solar probe protection from intense radiation with the use of particles embedded in an ablating materia. — Proceedings of the 8th International Symposium on Radiative Transfer, June 6-10, 2016, Cappadocia, Turkey, 2016.
• 78 Reviznikov D.L., Sposobin A.V., Varaksin A. Deterministic and Statistical Modelling of Particle-Particle Collisions in Supersonic Gas-Solid Flows Past Bodies. — Proceedings of ICMF-2016 – 9th International Conference on Multiphase Flow, May 22nd –27th 2016, Firenze, Italy, 2016.
• 79 Vasilyev A.N., Kolbin I.S., Reviznikov D.L. Meshfree Computational Algorithms Based on Normalized Radial Basis Functions. — 13th International Symposium on Neural Networks, ISNN 2016, St. Petersburg, Russia, July 6-8, 2016, Proceedings, 2016. — pp.583-591
• 80 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Ryzhov Yu.A. Theoretical study of structural, electronic, and photoluminescent properties of silicon structures with defects based on multilevel approach in predictive modeling. — European Materials Research Society, E-MRS Spring Meeting, 2016.Lille, France, 2-7 мау, BB.15.1, 2016.
• 81 Abgaryan K.K., Reviznikov D.L., Zhuravlev A.A. The theoretical study of 2DEG electron concentration and mobility in heterostructures AlGaAs / InGaAs / GaAs. — European Materials Research Society, E-MRS Spring Meeting, 2016.Lille, France, 2-7 мау, BB.6.45., 2016.
• 82 Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур. — Издательство "Москва", 2016. Монография 122С.
  Скачать
• 83 Абгарян К.К., Сеченых П.А., Гаврилов Е.С. Объектно-реляционный подход к разработке системы компьютерного моделирования многомасштабной схемы расчета многослойных полупроводниковых наноструктур. — Программная инженерия, №8, 2015. — С.9-17
• 84 Абгарян К.К., Уварова О.В., Уваров С.И. Математическое моделирование процессов формирования кластеров точечных дефектов в кремнии на базе молекулярно-динамического подхода. — Известия вузов. Материалы электронной техники, №1, 2015. — С.31-42
• 85 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Теоретическое исследование электронных и геометрических характеристик тонких пленок AlN. — Известия вузов. Материалы электронной техники, №1, 2015. — С.48-51
• 86 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В., Ганченкова М.Г., Камынина И.А. Влияние выбора параметров первопринципных расчетов на предсказания энергетики точечных дефектов. — Известия вузов. Материалы электронной техники, №1, 2015. — С.23-30
• 87 Абгарян К.К., Загордан Н.Л., Ревизников Д.Л., Журавлёв А.А. Дискретно-элементное моделирование внедрения шара в массивную преграду. — Компьютерные исследования и моделирование, Т.7, №1, 2015. — С.66-75
• 88 Коробова Ю.Г., Бажанов Д.И., Камынина И.А., Абгарян К.К., Илюшин А.С. Исследование влияния кислорода на свойства магнитной анизотропии нанопроводов Co на поверхности Cu(210):ab initio подход. — Физика твердого тела, том 57, вып. 7, 2015. — С.1343-1348
• 89 Abgaryan K.K., Mutigullin I.V., Reviznikov D.L. Computational model of 2DEG mobility in the AlGaN/GaN heterostructures. — Phys.Status Solidi, C12, №2, 2015. — pp.407-411
  Скачать
• 90 Abgaryan K.K., Mutigullin I.V., Reviznikov D.L. Theoretical investigation of 2DEG concentration and mobility in the AlGaN/GaN heterostructures with various Al concentrations. — Phys.Status Solidi, C12, №12, 2015. — pp.1376-1382
  Скачать
• 91 Abgaryan K.K., Sechenikh P.A., Supryadkina I.A. Object–relational architecture of information support of the multi-circuit calculation multilayer semiconductor nanostructures. — Modern Electronic Materials, 1, 2015. — pp.38-42
  Скачать
• 92 Абгарян К.К. Особенности многоуровневого моделирования полупроводниковых наноструктур. — Материалы XVIII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2015) 24-31 мая 2015 г., Алушта, 2015. — С.27-29
• 93 Абгарян К.К., Уварова О.В., Уваров С.И. Молекулярно-динамическое моделирование кластеров точечных дефектов в кремнии. — Материалы XVIII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2015) 24-31 мая 2015 г., Алушта, 2015.
• 94 Абгарян К.К., Журавлёв А.А., Ревизников Д.Л. Параметрическая идентификация потенциала межчастичного взаимодействия в задаче дискретно-элементного иоделирования высокоскоростного внедрения шара в преграду. — Материалы XVIII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2015) 24-31 мая 2015 г., Алушта, 2015.
• 95 Абгарян К.К., Гаврилов Е.С., Сеченых П.А. Архитектура платформы интеграции приложений для задач материаловедения. — Материалы XIX Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2015) 24-31 мая 2015 г., Алушта, 2015. — С.126-128
• 96 Абгарян К.К., Харченко В.А. Разработка информационной поддержки задач полупроводниковой наноэлектроники. — Материалы XVIII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2015) 24-31 мая 2015 г., Алушта, 2015. — С.128-130
• 97 Абгарян К.К., Супрядкина И.А., Сеченых П.А. Объектно-реляционная архитектура информационной поддержки многомасштабной схемы расчёта многослойной полупроводниковой наноструктуры. — Известия вузов. Материалы электронной техники, Т.17, №3, 2014.
• 98 Абгарян К.К., Посыпкин М.А. Применение оптимизационных методов для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия. — ЖУРНАЛ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ МАТЕМАТИКИ И МАТЕМАТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ, Т.54, №12, 2014. — С.1994-2001
  Скачать
• 99 Abgaryan K.K., Posypkin M.A. Optimization Methods as Applied to Parametric Identification of Interatomic Potentials. — Computational Mathematics and Mathematical Physics, Vol.54, №12, 2014. — pp.1929-1935
  Скачать
• 100 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Mutigullin I.V., Supryadkina I.A. AB initio study of macroscopic polarization of AlN, GaN and AlGaN. — Phys.Status Solidi, С11, №2, 2014. — pp.307-311
• 101 Абгарян К.К., Гаврилов Е.С., Марасанов А.М. Информационная поддержка задач компьютерного моделирования высокоскоростного взаимодействия твердых телИнформационная поддержка задач компьютерного моделирования высокоскоростного взаимодействия твердых тел. — International Journal of Open Information Technologies, Т.2, №12, 2014.
• 102 Абгарян К.К., Посыпкин М.А. Программный комплекс для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия. — International Journal of Open Information Technologies, №11, 2014.
• 103 Brovko O.O., Bazhanov D.I., Meyerheim H.L., Sander D., Stepanyuk V.S. Effect of mesoscopic misfit on growth, morphology, electronic properties and magnetism of nanostructures at metallic surfaces. — Surf. Sci. Reports, Vol. 68, Issue 4, 2014. — pp.159-195
  DOI: 10.1016/j.surfrep.2014.08.001
  Скачать
• 104 Абгарян К.К., Supryadkina I.A., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Ab initio study of macroscopic polarization of AlN, GaN and AlGaN. — Phys. Status Solidi C, 2014. — С.1-5
  DOI: 10.1002/pssc.201300756
  Скачать
• 105 Абгарян К.К., Марасанов А.М., Сеченых П.А. Библиографический репозиторий системы информационной поддержки задач кристаллографии. — Материалы X Международной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ’2014) 25-31 мая 2014 г., Алушта, 2014. — С.455-456
• 106 Abgaryan K.K. Application of optimization methods for the solution of the material science problems. — Abstracts.V International conference «Optimization and applications» (Optima-2014), Petrovac. Montenegro, 2014. — pp.14-15
• 107 Абгарян К.К., Мутигуллин И.В. Теоретическое исследование из первых принципов адсорбции атомарного азота на поверхности сапфира. — Сборник тезисов докладов НСКФ-2014. http://2014.nscf.ru/nauchno-prakticheskaya-konferenciya/tezisy-dokladov/, 2014.
• 108 Абгарян К.К., Посыпкин М.А. Применение грид-систем из персональных компьютеров для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия. — Сборник тезисов докладов НСКФ-2014. http://2014.nscf.ru/nauchno-prakticheskaya-konferenciya/tezisy-dokladov/, 2014.
• 109 Абгарян К.К. Применение высокопроизводительных вычислений для решения задач оптимизации при многоуровневом моделировании полупроводниковых наноструктур. — Сборник тезисов докладов НСКФ-2014. http://2014.nscf.ru/nauchno-prakticheskaya-konferenciya/tezisy-dokladov/, 2014.
• 110 Абгарян К.К., Мутигуллин И.В., Ревизников Д.Л. Многомасштабное моделирование распределения и подвижности носителей заряда в полупроводниковых гетероструктруктурах. — Тезисы докладов Международной конференции «Современные проблемы вычислительной математики и математической физики». Москва. 2014, 2014. — С.68-70
• 111 Abgaryan K.K., Mutigullin I.V., Reviznikov D.L. Computational model of 2DEG mobility in the AlGaN/GaN heterostructures. — E-MRS Spring Meeting 2014. K-8, 2014. — pp.1-5
  Скачать
• 112 Abgaryan K.K., Marasanov A.M, Sechenikh P.A. Information support of the multiscale computational scheme of multilayer semiconductor nanostructures. — E-MRS Spring Meeting 2014. I-20, 2014.
• 113 Абгарян К.К., Сеченых П.А. Объектно-реляционная система информационной поддержки многомасштабной схемы расчёта многослойной полупроводниковой наноструктуры. — Молодёжная научно-практическая конференция «Инновации в авиации и космонавтике – 2014». Сборник тезисов докладов, 2014. М.:ООО «Принт-салон» — С.177-178
• 114 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Исследование адсорбции атомарного азота на поверхности Al2O3 (0001). — Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №1, 2013. — С.80-84
  Скачать
• 115 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В., Супрядкина И.А. Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе. — Физика и техника полупроводников, том 47, вып. 12, 2013. — С.1647-1652
• 116 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Mutigullin I.V., Supryadkina I.A. Study of the Polarizations of (Al,Ga,AlGa)N Nitride Compounds and the Charge Density of Various Interfaces Based on. — Them. Semiconductors, Vol. 47, № 12, 2013. — pp.1621-1625
• 117 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Mutigullin I.V. Investigation into the adsorption of atomic nitrogen on an Al2O3 (0001) surface. — Journal of Surface Investigation. X-ray. Synchrotron and Neutron Techniques, Vol. 7, Issue 1, 2013. — pp.76-80
  Скачать
• 118 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Компьютерное моделирование многослойных полупроводниковых наноструктур. — Материалы XVII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2013) 22-31 мая 2013 г., Алушта, 2013. — С.26-28
• 119 Абгарян К.К., Мутигуллин И.В. Применение методов многомасштабного моделирования для изучения дефектов нитридных полупроводниковых наноструктур на подложке Si. — Материалы XVII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2013) 22-31 мая 2013 г., Алушта, 2013. — С.28-29
• 120 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Supryadkina I.A. Investigation of polarization of nitride compounds (Al,Ga, AlGa)N and charge density of their various interface. — E-MRS Spring Meeting 2013. К-8, 2013.
• 121 Абгарян К.К., Сеченых П.А. Объектно-реляционная архитектура информационной поддержки многомасштабной схемы расчета многослойной полупроводниковой наноструктуры. — Материалы XVII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2013) 22-31 мая 2013 г., Алушта, 2013. — С.162-165
• 122 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В., Супрядкина И.А., Федина Л.И. Теоретическое исследование ионно-индуцированных точечных дефектов и их комплексов в кремнии. — Материалы международной конференции ВИП-2013, г. Ярославль. Т.1., 2013. — С.204-206
• 123 Abgaryan K.K. Multiscale computational model of multy-layer semiconductor nanostructures. — Abstracts.IV International conference «Optimization and applications» (Optima-2013), Petrovac. Montenegro, 2013. — pp.13-15
• 124 Абгарян К.К. Компьютерное моделирование процесса нитридизации поверхности сапфира (0001). — Материалы международной конференции ВИП-2013, г. Ярославль, 2013. — С.99-103
• 125 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Михеев С.Ю, Мутигуллин И.В., Рыжов Ю.А. Компьютерное моделирование и экспериментальное исследование кристаллического строения и электронных свойств нанопленок InN/Si, GaN/Si. — звестия Российской академии наук. Серия физическая, Т.76 (6), 2012. Из-во: Наука. ISSN 0367-6765 — С.696-698
  Скачать
• 126 Абгарян К.К., Мутигуллин И.В. Суперкомпьютерное моделирование многослойных полупроводниковых наноструктур. — Изд-во Московского университета, альманах «Суперкомпьютерные технологии в науке, образовании и промышленности», 2012. — С.211-218
• 127 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Mutigullin I.V. Multiscale computational model of nitride semiconductor nanostructures. — Materials Science & Technology. Advanced Materials Research. Elsevier, Vols. 560-561, 2012. — pp.1133-1137
• 128 Abgaryan K.K., Bazhanov D.I., Mikjeev S.Yu., Mutigullin I.V., Ryzhov Yu.A. Computer simulation and experimental investigation of the crystal structure and electronic properties of InN/Si and GaN/Si thin films. — Bulletin of the Russian Academy of Sciences Physics 76(6). DOI: 10.3103/S1062873812060032, Volume 76, Issue 6, 2012. — pp.696-698
  Скачать
• 129 Абгарян К.К., Быков Н.В., Мутигуллин И.В. Применение параллельных вычислений и метода молекулярной динамики для моделирования роста многослойных полупроводниковых наноструктур. — Материалы IX междунарнодной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ 2012), 25-31 мая 2012 г., Алушта, 2012. М.: Изд-во МАИ — С.457-459
• 130 Абгарян К.К., Михеев С.Ю., Харченко В.С. Математическое моделирование наноразмерных электронных структур с заданными свойствами. — Книга тезисов IX Международной конференции «Кремний-2012», Санкт-Петербург 9-13 июля, 2012, 2012. — С.140
• 131 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Михеев С.Ю, Мутигуллин И.В., Рыжов Ю.А. Компьютерное моделирование и экспериментальное исследование кристаллического строения и электронных свойств нанопленок InN/Si, GaN/Si. — Материалы XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» ВИП 2011, 25-29 августа, Звенигород, 2011. — С.132
• 132 Abgaryan K.K. Application of optimization methods for modeling of semiconductor film nanostructures. — International conference «Optimization and applications» (Optima-2011), Petrovac. Montenegro. September 25 - November 2, 2011. — pp.3-4
• 133 Абгарян К.К., Власов А.В., Пиминов А.С. База данных для системы расчета многослойной полупроводниковой наноструктуры с заданными параметрами. — Материалы XVII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2011) 25-31 мая 2011 г., Алушта, 2011. — С.177-178
• 134 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Применение многомасштабного подхода для моделирования полупроводниковых гетероструктур. — Материалы XVII Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС’2011), 2011. — С.225-227
• 135 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В., Журавлев К.С., Малин Т.В Теоретическое исследование процесса образования интерфейса AlN/Al2O3 в результате нитридизации сапфира. — Тезисы 8-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы, Москва, МГУ, 26-28 мая 2011, 2011. — С.226
• 136 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Компьютерное моделирование процесса формирования AlN на поверхности сапфира (0001). — Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники Фотоника-2011. Тезисы. 22-26 августа 2011 г., Новосибирск, 2011. — С.88
• 137 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Компьютерное моделирование кристаллической структуры и электронных свойств InN и GaN на подложке Si(111). — Материалы VIII Национальной Конференции «Рентгеновское, Синхротронное излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии» РСНЭ-НБИК 2011, 14-18 ноября 2011 г., Москва, 2011. — С.131
• 138 Абгарян К.К. Применение оптимизационных методов для моделирования многослойных полупроводниковых наносистем. — Труды Института системного анализа Российской академии наук. Динамика неоднородных систем, Т.53(3), 2010. — С.6-9
• 139 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Применение высокопроизводительных вычислений для исследования электронных и структурных свойств тонких пленок InN и GaN на подложке кремния (111). Т.19, №6, 2010. — С.163-166
• 140 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Исследование электронных и структурных свойств тонких пленок InN, GaN на кремниевых подложках. — Сборник статей. «Математическое моделирование композиционных объектов». Вып.5, 2010. М.:ВЦ РАН — С.58-68
• 141 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Применение высокопроизводительных вычислений для исследования адгезии тонких пленок нитрида индия и галлия на кремниевой подложке. — Материалы VIII Международной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях «NPNJ 2010» (25-31 мая 2010 г.Алушта), 2010. — С.382-385
• 142 Абгарян К.К., Бажанов Д.И. Использование высокопроизводительных вычислений для создания компьютерной модели многослойной полупроводниковой наноструктуры. — Материалы VIII Международной конференции по неравновесным процессам в соплах и струях «NPNJ 2010» (25-31 мая 2010 г.Алушта), 2010. — С.339-341
• 143 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Ислледование электронных и структурных свойств тонких пленок InN и GaN на кремниевых подложках. — Нанотехнологии функциональных материалов (НФМ’10): Труды международной научно-технической конференции, г. Санкт-Петербург, 2010. — С.450
• 144 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Мутигуллин И.В. Влияние упругих деформаций на электронные свойства нитридов индия и галлия. — Фазовые превращения и прочность кристаллов: сборник тезисов VI Международной конференции (16-19 ноября 2010, Черноголовка), Черноголовка, 2010. — С.165
• 145 Абгарян К.К., Хачатуров В.Р. Компьютерное моделирование устойчивых структур кристаллических материалов. — Ж. вычисл.матем. и матем. физ., Т.49 №8, 2009. — С.1517-1530
• 146 Абгарян В.К., Рыжов Ю.А., Абгарян К.К. Численное моделирование изменения рельефа поверхностей поликристаллов при облучении ионно-плазменными потоками. — Вестник Московского авиационного института, Т.19, №2, 2009. — С.79-84
• 147 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Холомеева А.А. Прогнозирование плотности электронных состояний некоторых перовскитоподобных структур на примере CaTiO3. — Вестник Московского авиационного института, T.16, №6, 2009. — С.199-203
• 148 Abgaryan K.K., Khachaturov V.R. Computer simulation of stable structures in crystal substances. — CMMP, Volume: 49 Issue: 8, 2009. — pp.1449-1462
• 149 Абгарян К.К., Бажанов Д.И. Применение методов компьютерного моделирования для определения кристаллической структуры и электронных свойств GaAs, GaP, GaAs0.75N0.25, GaAs0.25P0.25,(F43m). — Сборник статей, «Математическое моделирование композиционных объектов», Вып.4, 2009. М.:ВЦ РАН — С.18-32
• 150 Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Холомеева А.А. Прогнозирование плотности электронных состояний для некоторых перовскитоподобных структур на примере CaTiO3. Вып.4, 2009. М.:ВЦ РАН — С.33-42
• 151 Абгарян К.К., Бажанов Д.И. Применение методов компьютерного моделирования для определения кристаллической структуры и электронных свойств GaAs, GaP, GaAs0.75N0.25, GaAs0.25P0.25,(F43m). — Доклад на XIX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью. VIP -2009», Звенигород., 21-25 августа, 2009. — С.89-92
• 152 Абгарян К.К., Холомеева А.А. Математическое моделирование и прогнозирование плотности электронных состояний некоторых перовскитоподобных структур на примере CaTiO3. и PbTiO3. — Доклад на XVI Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС 2009), 2009. — С.41-44
• 153 Абгарян К.К., Холомеева А.А. Архитектура системы прогнозирования свойств кристаллических материалов с заданной химической формулой. — Доклад на XVI Международной конференции по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС 2009), 2009. — С.39-41
• 154 Abgaryan K.K. Application of optimization methods for modeling of close packings crystal structures. — International conference «Optimization and applications» (Optima-2009), 2009. Petrovac. Montenegro