IV Международная конференция
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов
ФИЦ ИУ РАН, ВМК МГУ, АО НИИМЭ
ОКТ
24-25
2022
Конференция будет проводиться в онлайн и в офлайн-формате по адресу г. Москва, ул. Вавилова, д.40, конференц зал (3й этаж) с 24 по 25 октября 2022.
Для участия в конференции необходимо послать тезисы по адресу matmodel2013@gmail.com до 15 октября 2022 г. с заполненой заявкой на участие и экспертное заключение о возможности публикации тезисов доклада в открытых источниках печати.
Ссылка на онлайн-конференцию будет отправлена зарегистрированным участникам мероприятия.
В тезисах доклада, докладе необходимо отразить актуальность, новизну, цель, порядок проведения и результаты исследований, выводы. Текст тезисов должен включать в себя название, краткую аннотацию и ключевые слова с переводом на английский язык.
При публикации любой научной работы, созданной по итогам исследований в рамках финансируемого Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ) проекта, авторы обязаны сослаться в тезисах доклада и докладе на полученный грант с указанием его номера.
Тексты статей для публикаций в журналах необходимо направить на рецензирование до 1 ноября 2022 г.
Тезисы докладов и статьи принимаются формате Microsoft Word. Объем тезисов - до трех полных страниц формата A4. Объем статьи 6-7 страниц. Правила оформления: поля со всех сторон 25 мм, шрифт Times New Roman, кегль 12pt, межстрочный интервал полуторный. Формулы должны быть набраны в редакторе Microsoft Equation или MathType.
Для участия конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо зарегистрироваться, отправив заполненную заявку по адресу matmodel2013@gmail.com до 21 октября 2022 г.
Решение о включении докладов в программу конференции и дальнейшая информация будет содержаться во Втором информационном сообщении, которое будет разослано зарегистрировавшимся участникам по указанным в заявках электронным адресам до 22 октября 2022г.
Оргвзнос для участников из России и стран СНГ составляет 4800 руб., для аспирантов - 3000 руб., студенты от оргвзноса освобождаются. Оплата в случае заочного участия включает расходы на публикацию тезисов одного доклада в сборнике материалов конференции и составляет 2400 руб. для всех категорий участников.
Оплата конференционных взносов до 22 октября. Оплата осуществляется по следующим реквизитам:
Получатель:
ООО «Интеллектуальное кольцо»
ИНН/КПП 5047149206/504701001
Р/с 40702810200020002847 в ПАО АКБ "АВАНГАРД", Г. МОСКВА
К/с 30101810000000000201
БИК 044525201
Назначение платежа:
За участие в конференции МММЭК-2022. НДС не облагается.
Для заключения договора обращаться на адрес:
la-mmmek21@intring.ru
Документ, подтверждающий оплату, отправлять на адрес:
matmodel2013@gmail.com
Организаторы:
- ФИЦ «Информатика и управление» РАН
- ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
- АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
- Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
- Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»
Проведенные конференции
Планируется выпуск Материалов Конференции с размещением в РИНЦ и присвоением DOI.
Лучшие работы будут опубликованы в специальном выпуске журнала "Известия вузов. Материалы электронной техники" за 2022 г.(ВАК). Статьи, присланные до 1 сентября, будут опубликованы в номере 3. Статьи, присланные позже, будут опубликованы в номере 4.
Отдельные из них будут опубликованы в журналах Russian Microelectronics и Physica status solidi(B) (WoS, Scopus).
Тематика конференции
Приглашенные докладчики
проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия
член-корреспондент РАН Двуреченский А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН
проф. д-р Василевский М.И., Университет Минью, Португалия
проф. д-р Петров П., Имперский колледж Лондона, Великобритания
Научная программа мероприятия
24 октября
Регистрация
Открытие конференции
Пленарные доклады
Секция A. Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных
Секция E. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения
25 октября
Секция C. Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, виртуальные модели и т.д.)
Секция D. Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике
Секция B. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур
Секция F. Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.
Секция G. Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе
Закрытие конференции
Стендовые доклады
Секция A.
Секция B.
- Хазанова С.В., Савельев В.В. Численный расчет транспортных характеристик двуслойного графена с разориетированными слоями
Секция C.
- Колбин И.С., Абгарян К.К. Применение метода модального подавления для расчета эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешеток
- Литвинов В.Л., Литвинова К.В. Математическое моделирование элементов систем питания удаленных электронных устройств оптическим излучением
- Сеченых П.А. Математическое моделирование кристаллической структуры ГПУ металлов
- Туртин Д.В., Степович М.А., Щербаков Н.В. О математическом моделировании и качественных оценках в методе время пролётной катодолюминесценции
- Степович М.А., Туртин Д.В., Калманович В.В., Филиппов М.Н. Математическое моделирование и качественная оценка воздействия заряженных частиц или электромагнитного излучения на однородные полупроводниковые материалы
- Аляев Р.Л., Лебедев А.В. Численный алгоритм для моделирования профилей травления методом уровней с произвольной функцией скорости
- Саенко А.В., Жейц В.В., Билык Г.Е., Малюков С.П. Численное моделирование фотоэлектрических характеристик солнечных элементов на основе гетероперехода TiO2/Cu2O
- Уварова О.В., Абгарян К.К., Бажанов Д.И., Уваров С.И. Потенциалы межатомного взаимодействия для изучения свойств кристаллических структур
Секция D.
Секция F.
- Братухин И.Ю., Крячко А.Ф., Шакин О.В., Ревунов Г.М. Синтез микроуровневых структур композитны материалов
- Иванченко Г.С., Тен А.В., Бутенко М.А., Кузьмин Н.М. Моделирование колебательных свойств гидрированных алмазоподобных нанопленок
- Тихонова Е.Д., Горнев Е.С. Использование новых композиционных материалов в процессе самосовмещенного двойного паттернирования
Программный комитет
Председатель:
академик РАН Евтушенко Ю.Г., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сопредседатель:
д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Члены программного комитета:
академик РАН Соколов И.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
академик РАН Красников Г.Я., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
чл.-корр. РАН Лукичев В.Ф., ФТИАН РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Флеров Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Поспелов И.Г, ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Кведер В.В., ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия
д-р техн. наук Гамкрелидзе С.А., ИСВЧЭ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия
проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия
д-р. физ.-мат. наук Ревизников Д.Л., МАИ, Москва, Россия
д-р физ.-мат. наук Илюшин А.С., МГУ, Физический ф-т, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Горнев Е.С., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
д-р физ.-мат. наук Итальянцев А.Г., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
д-р физ.-мат. наук Тишкин В.Ф., ИПМ РАН, Москва, Россия
д-р техн. наук Захаров В.Н., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
проф. д-р Котомин Е., Институт исследований твердого тела Макса Планка, Штутгарт, Германия, Институт физики твердого тела Латвийского университета, Рига, Латвия
Организационный комитет
Председатель:
д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сопредседатель:
д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Члены организационного комитета:
д-р техн. наук Харченко В.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд. физ.-мат. наук Колбин И.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
проф. д-р Мендеш Ж.Ф., Университет Авейру, Португалия
канд. физ.-мат. наук Бажанов Д.И., МГУ, Физический факультет, Москва, Россия
канд. техн. наук Тельминов О.А., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
канд. техн. наук Степченков Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд. физ.-мат. наук Мутигуллин И.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд.физ.-мат. наук Занавескин М.Л., НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Гаврилов Е.С., МАИ, Москва, Россия
Уваров С.И., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Секретариат организационного комитета:
Уварова О.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сеченых П.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
