II Международная конференция
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов
ФИЦ ИУ РАН, ВМК МГУ, АО НИИМЭ, МАИ
ОКТ
19-20
2020
Организаторы:
- ФИЦ «Информатика и управление» РАН
- ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
- АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
- Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
- Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»
- МАИ (Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)
Планируется выпуск Материалов Конференции, с размещением в РИНЦ и присвоением DOI.
Лучшие работы будут опубликованы в специальном выпуске журнала Известия вузов. Материалы электронной техники за 2020 г.(ВАК). Статьи присланные до 1 сентября будут опубликованы в номере 3. Статьи присланные позже будут опубликованы в номере 4.
Отдельные из них будут опубликованы в журналах Russian Microelectronics и Phys.st.sol.(B) (WoS, Scopus).
Тематика конференции
Приглашенные докладчики
проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия
проф. д-р Ж.К. Педру, Университет Авейру, Португалия
член-корреспондент РАН Двуреченский А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН
проф. д-р Василевский М.И., Университет Минью, Португалия
проф. д-р Петров П., Имперский колледж Лондона, Великобритания
Научная программа мероприятия
Сведения об участниках мероприятия
Сведения об докладчиках
19 октября
Регистрация
Открытие конференции
Пленарные доклады
Секция D. Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике
Секция C. Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, имитационные модели и т.д.)
20 октября
Пленарные доклады
Секция A. Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных
Секция F. Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.
Секция B. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур
Секция E. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения
Закрытие конференции
ПрограммаПрезентации докладов
Секция A.
Секция C.
- A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov. Reasons of crystallite formation during the GaAs nanowire self-catalyzed growth: Monte Carlo simulation
- Абгарян К.К., Колбин И.С. Построение модели эффективного коэффициента теплопроводности для наноразмерных гетероструктур с использованием машинного обучения
- Константинов В.С., Константинов В.С. Анизотропия термодинамических потенциалов в механически напряжённых структурах диоксида гафния
- Гревцев А.В., Абгарян К.К., Бажанов Д.И. Разработка функционала на основе потенциала Терсоффа для моделирования свойств оксидов
- Простомолотов А.И., Верезуб Н.А. Гидродинамика и массообмен в специальных конструкциях кристаллизатора
- Спирина А.А., Шварц Н.Л. Влияние обработки поверхности подложки на морфологию GaAs планарных нанопроволок (Монте-Карло моделирование)
- Шарапов А.А. Описание имитационной модели образования наноразмерной неровности края в процессе экспонирования полимерных фоторезистов
Секция D.
Секция E.
- Лопатенко В.В. Применение методов машинного обучения для аппроксимации экспериментальных характеристик мемристора
- Матюшкин И.В., Гусейнов Д.В. Исследование простой модели мемристора второго порядка при его циклировании
- Морозов А.Ю., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Имитационное моделирование импульсной нейронной сети с мемристивными элементами в качестве синапсов
Секция F.
Стендовые доклады
Секция A.
Секция C.
- Жачук Р.А., Кутиньо Ж. Пентамер с межузельным атомом как структурный блок реконструированных поверхностей Si(331) и Ge(331)
- Жачук Р.А., Долбак А.Е., Шкляев А.А. Атомная структура поверхности Si(47 35 7)
- Миннуллин Р.Т., Королев Д.С., Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю. Расчет спектров отражения Ge-Sb-Te дифракционной решетки с применением дисперсионной модели Тауца–Лорентца
- Мочалова Ю.Д., Абгарян К.К. Моделирование процессов деградации механических свойств, прочности и разрушения композитных материалов
- Орлов А.А., Резванов А.А. Моделирование времени до пробоя пористого диэлектрика в системе металлизации интегральных схем современного уровня
- Саенко А.В., Малюков С.П., Палий А.В. Численное моделирование солнечного элемента со структурой TiO2/CH3NH3SnI3/Cu2O
- Чернов Н.Н., Палий А.В., Саенко А.В. Исследование эффективности конструкции биметаллического радиатора из меди и алюминия для теплонагруженного источника электронной техники
Секция E.
Программный комитет
Председатель:
академик РАН Евтушенко Ю.Г., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Заместитель председателя:
д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Члены программного комитета:
академик РАН Соколов И.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
академик РАН Красников Г.Я., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
чл.-корр. РАН Лукичев В.Ф., ФТИАН РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Флеров Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Поспелов И.Г, ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Кведер В.В., ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия
д-р техн. наук Гамкрелидзе С.А., ИСВЧЭ РАН, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия
проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия
д-р. физ.-мат. наук Ревизников Д.Л., МАИ, Москва, Россия
д-р физ.-мат. наук Илюшин А.С., МГУ, Физический ф-т, Москва, Россия
чл.-корр. РАН Горнев Е.С., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
д-р физ.-мат. наук Итальянцев А.Г., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
д-р физ.-мат. наук Тишкин В.Ф., ИПМ РАН, Москва, Россия
д-р техн. наук Захаров В.Н., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
проф. д-р Котомин Е., Институт исследований твердого тела Макса Планка, Штутгарт, Германия, Институт физики твердого тела Латвийского университета, Рига, Латвия
Организационный комитет
Председатель:
д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Заместитель председателя:
д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Члены организационного комитета:
д-р техн. наук Харченко В.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд. физ.-мат. наук Колбин И.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
проф. д-р Мендеш Ж.Ф., Университет Авейру, Португалия
канд. физ.-мат. наук Бажанов Д.И., МГУ, Физический факультет, Москва, Россия
канд. техн. наук Тельминов О.А., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия
канд. техн. наук Степченков Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд. физ.-мат. наук Мутигуллин И.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
канд.физ.-мат. наук Занавескин М.Л., НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Гаврилов Е.С., МАИ, Москва, Россия
Уваров С.И., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Секретариат организационного комитета:
Уварова О.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия
Сеченых П.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия