Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов | V Международная конференция

V Международная конференция

Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов

ФИЦ ИУ РАН, ВМК МГУ, АО НИИМЭ

ОКТ

23-25

2023

Сборник тезисов докладов конференции

Скачать

Фотографии с конференции

Конференция будет проводиться в онлайн и в офлайн-формате по адресу г. Москва, ул. Вавилова, д.40, конференц зал (3й этаж) с 23 по 25 октября 2023.

Для участия в конференции необходимо послать тезисы по адресу matmodel2013@gmail.com до 1 октября 2023 г. с заполненой заявкой на участие и экспертное заключение о возможности публикации тезисов доклада в открытых источниках печати.

Ссылка на онлайн-конференцию будет отправлена зарегистрированным участникам мероприятия.

В тезисах доклада, докладе необходимо отразить актуальность, новизну, цель, порядок проведения и результаты исследований, выводы. Текст тезисов должен включать в себя название, краткую аннотацию и ключевые слова с переводом на английский язык.

Образец оформления тезисов.

При публикации любой научной работы, созданной по итогам исследований в рамках финансируемого Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ) проекта, авторы обязаны сослаться в тезисах доклада и докладе на полученный грант с указанием его номера.

Тексты статей для публикаций в журналах необходимо направить на рецензирование до 1 ноября 2023 г.

Тезисы докладов и статьи принимаются формате Microsoft Word. Объем тезисов - до трех полных страниц формата A4. Объем статьи 6-7 страниц. Правила оформления: поля со всех сторон 25 мм, шрифт Times New Roman, кегль 12pt, межстрочный интервал полуторный. Формулы должны быть набраны в редакторе Microsoft Equation или MathType.

Шаблон для стендовой секции.

Для участия конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо зарегистрироваться, отправив заполненную заявку по адресу matmodel2013@gmail.com до 20 октября 2023 г.

Решение о включении докладов в программу конференции и дальнейшая информация будет содержаться во Втором информационном сообщении, которое будет разослано зарегистрировавшимся участникам по указанным в заявках электронным адресам до 17 октября 2023г.

Оргвзнос для участников из России и стран СНГ составляет 4800 руб., для аспирантов - 3000 руб., студенты от оргвзноса освобождаются. Оплата в случае заочного участия включает расходы на публикацию тезисов одного доклада в сборнике материалов конференции и составляет 2400 руб. для всех категорий участников.


Оплата конференционных взносов до 18 октября. Оплата осуществляется по следующим реквизитам:

Получатель:
ООО «Интеллектуальное кольцо»
ИНН/КПП 5047149206/504701001

Р/с 40702810200020002847 в ПАО АКБ "АВАНГАРД", Г. МОСКВА
К/с 30101810000000000201
БИК 044525201

Назначение платежа:
За участие в конференции МММЭК-2023. НДС не облагается.


Для заключения договора обращаться на адрес:
la-mmmek21@intring.ru


Документ, подтверждающий оплату, отправлять на адрес:
matmodel2013@gmail.com

Организаторы:

  • ФИЦ «Информатика и управление» РАН
  • ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
  • АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
  • Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
  • Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»

Проведенные конференции

Планируется выпуск Материалов Конференции с размещением в РИНЦ и присвоением DOI.

Лучшие работы будут опубликованы в специальном выпуске журнала "Известия вузов. Материалы электронной техники" за 2024 г.(ВАК). Статьи, присланные до 1 сентября, будут опубликованы в номере 3. Статьи, присланные позже, будут опубликованы в номере 4.

Отдельные из них будут опубликованы в журналах Russian Microelectronics и Physica status solidi(B) (WoS, Scopus).

Тематика конференции

1Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных
Квантовые технологии. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур2
3Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, виртуальные модели и т.д.)
Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике4
5Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения
Моделирование структур и свойств конструкционных материалов для производств изделий ЭКБ, включая композиционные материалы с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.6
7Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе

Приглашенные докладчики

проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия

член-корреспондент РАН Двуреченский А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

проф. д-р Василевский М.И., Университет Минью, Португалия

проф. д-р Петров П., Имперский колледж Лондона, Великобритания

Научная программа мероприятия

Постерные доклады

Программный комитет

Председатель:

академик РАН Евтушенко Ю.Г., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Сопредседатель:

д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Члены программного комитета:

академик РАН Красников Г.Я., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

академик РАН Соколов И.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Горнев Е.С., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

чл.-корр. РАН Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия

чл.-корр. РАН Кведер В.В., ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия

чл.-корр. РАН Лукичев В.Ф., ФТИАН РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Флеров Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Гамкрелидзе С.А., ИСВЧЭ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Захаров В.Н., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

д-р физ.-мат. наук Итальянцев А.Г., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

д-р. физ.-мат. наук Ревизников Д.Л., МАИ, Москва, Россия

проф. д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия

д-р физ.-мат. наук Тишкин В.Ф., ИПМ РАН, Москва, Россия

Организационный комитет

Председатель:

д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Сопредседатель:

д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Члены организационного комитета:

д-р техн. наук Харченко В.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Бажанов Д.И., МГУ, Физический факультет, Москва, Россия

канд.физ.-мат. наук Загордан Н.Л., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд.физ.-мат. наук Занавескин М.Л., НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Колбин И.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Морозов А.Ю., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. техн. наук Степченков Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. техн. наук Тельминов О.А., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

канд. техн. наук Гаврилов Е.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

Сеченых П.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

Научные-конференции.РФ НКР MathNet